STマイクロエレクトロニクス、Innogration社のLDMOS技術に関し、ライセンス契約および協力契約を締結

  • 本合意により、STのRFパワー市場への対応範囲が拡大
  • 高い完成度と実績を備えるLDMOS技術は、無線インフラ、産業・科学・医療機器、航空電子機器、レーダー、およびセルラー通信以外の無線機器に最適

Geneva / 14 Feb 2018

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、Innogration Technologies(以下Innogration)社と、RFパワー向けLDMOS技術(1) に関して合意したことを発表しました。中国・蘇州に本社を置く半導体ファブレス企業であるInnogration社は、RFパワー半導体デバイス / モジュール / サブシステムの設計・製造を行っています。

伝導チャネル長が短く、ブレークダウン電圧が高いLDMOS製品は、ワイヤレス通信システムの基地局に用いられるRFパワー・アンプや、商業用・産業用システム向けパワー・アンプに最適です。Innogration社との合意により、STはLDMOS技術を使用するより広範な用途への対応が可能になります。

なお、合意条件は非公開です。

(1) LDMOS:横方向拡散金属酸化膜半導体

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