ブレークダウン電圧が350V~1,300VであるSTのIGBTは、独自技術によってスイッチング性能とオンステート動作のトレードオフを最適化し、モータ制御、太陽光発電、UPS、車載、誘導加熱、溶接、照明などのアプリケーションでエネルギー効率に優れた多種多様なシステムの設計を可能にします。

STのIGBTポートフォリオには以下の特徴があります。

  • 低いVCE(SAT)による導通損失の低減
  • 温度上昇に対するスイッチオフ・エネルギー拡散の改善によるスイッチング損失の低減
  • デザインの簡素化と並列処理の容易化のための狭いパラメータ分布
  • 調整されたアンチパラレル・ダイオードを同一パッケージに集積して電力損失の低減と最良のサーマル・マネージメントを実現

これらのIGBTは、大型家電製品に最適な標準パンチスルー技術と、テール電流を最小化した極めて高速なターンオフ時間、温度安定性の高い動作、および低いVCE(SAT)を実現する、新しく導入されたトレンチゲート・フィールドストップ技術の両者をベースにしており、温度に対する正のディレーティングと相まってアプリケーションの効率を向上させます。

1200 V IGBT S series

Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).

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