極めて低いゲート電荷(Qg)と優れた出力静電容量(Coss)プロファイルを兼ね備えたSTのMDmesh M2シリーズは、共振型電源(LLCコンバータ)での使用に最適です。ブレークダウン電圧範囲が400 V ~ 650 VのMDmesh M2 MOSFETには、幅広いパッケージ・オプションが提供されています。このパッケージ・オプションには、スイッチング効率向上のために専用のコントロール・ピンを備えた新しい4リードのTO247-4、高さ1 mmの表面実装型のPowerFLAT 8x8 HV、および効率の良い熱放散のために金属性のドレイン・パッドを備えたPowerFLAT 5x6 HVなども含まれます。

主な特徴と利点:

  • 効率向上に適した極めて低いQg
  • 共振電源(LLCコンバータ)向けに最適化されたゲート電荷と静電容量のプロファイル

600 V MDmesh M2 EP MOSFETs

The MDmesh M2 EP MOSFETs are ST’s latest addition to the MDmesh M2 series of high-voltage MOSFETs ideal for both hard- and soft-switching topologies. Tailored for the most demanding very high frequency converters (> 150 kHz), these new 600 V MOSFETs combine a very low on-state resistance and gate charge with a reduction of Eoff of up to 20% compared with the previous M2 MOSFETs. They offer very low switching losses, especially under light load conditions, and enable designers to more easily meet the increasingly stringent energy-efficiency targets and design more compact and lighter solutions.

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