ワイドバンドギャップ･トランジスタ  

STは、高効率を実現するために最も重要となるスイッチング素子として、ワイド・バンド・ギャップ半導体であるシリコン・カーバイド（SiC）を用いたMOSFETの開発を追及しています。

SiC MOSFETには以下の特徴があります。

  • 業界最高の200 °Cの温度定格
  • 動作温度範囲全体でクラス最高のIGBTより優れたスイッチング性能
  • シリコン・スーパー・ジャンクションMOSFETに比べ、高温でも圧倒的に低いRDS(on)*Area

これらの改善によってパワー・エレクトロニクス・システムの熱設計の簡素化（冷却要件の緩和）や、必要な受動部品を削減できることによる部材コストの低減といったメリットが得られます。

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1200 V SiC MOSFETs

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