SiC MOSFET  

ワイド・バンドギャップ材料の先進的で革新的な特性を基礎とするSTのシリコン・カーバイド（SiC）MOSFETは、1200V定格できわめて低いRDS(on) *領域を持つほか、優れたスイッチング性能を備えており、より効率が高く、小型のシステムを実現します。SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも低いオン抵抗*領域を備えており、クラス最高の1200V IGBTよりも優れたスイッチング性能をすべての温度範囲で示します。これにより、パワー電子システムの熱設計を簡素化できます。

STのSiC MOSFETには、以下のような主な特徴と利点があります。

  • きわめて高い温度（Tj max = 200 °C）に対応できるので、PCBのフォーム・ファクタを小さくできると同時に（熱管理の簡素化）、システムの信頼性が向上します。
  • スイッチング損失が大幅に減少しており、温度によるその変動も少ないので、より小型の受動部品を使用して設計の小型化が可能です。
  • 低いオン抵抗（25℃で80mΩ［代表値］）によって高いシステム効率が得られ、冷却の要件も低くなります。
  • 簡単な駆動（コスト効率に優れたネットワーク駆動）
  • 超高速で堅牢な組み込みボディ・ダイオード（外付けのフリーホイール・ダイオードが不要で、システムが小型化）

New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET

ST has extended its portfolio of SiC MOSFETs with the introduction of the 22 mΩ typ (at 150 °C), 650 V SCTW100N65G2AG which increases the electrical efficiency of EVs and hybrid vehicles. When used in the EV/HEV main inverter, it increases the efficiency by up to 3% compared with an equivalent IGBT solution, translating into longer battery life and a lighter power unit. ST’s SiC MOSFETs also feature the industry’s highest junction-temperature rating of 200°C and show a very small variation of the on-state resistance even at high temperatures. This leads to higher system efficiency, which reduces cooling requirements and PCB form factors simplifying thermal management.
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will complete the qualification to AEC-Q101 in early 2017.

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1200 V SiC MOSFETs

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