HFおよびVHF周波数帯全体でのRF性能が向上するように最適化されたプロセス・レイアウトをベースとするSTの50V RF DMOSトランジスタは、ISM、HFトランシーバ、およびFM放送アプリケーションに最適です。このデバイスは、高いブレークダウン電圧(最大200 V超)と耐久性の改善により、極めて優れたRFゲイン(20 dB超)と出力飽和(最大450 W)を示します。

主な機能:

  • 出力:最大350 W
  • ブレークダウン電圧BVDSS:最大200 V超
  • 極めて高い耐久性:全位相でのVSWRが「無限大:1」
  • クラス最高の信頼性:100万パワー・サイクル
  • 低熱抵抗
  • セラミック・パッケージに比べて接合部 / ケース間の熱抵抗(25%低下)とRF性能が向上したSTのエア・キャビティ(STAC®) パッケージ・オプション
ツール & ソフトウェア リソース サポート & コミュニティ


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