性能平衡有利于改进应用设计

ST(意法半导体)的场效应整流二极管(FERD)的新版本重点关注性能平衡,有助于改进设计。ST一直关注如何改善压降并提高安全裕度,从而防止漏电流导致失控。
在目标应用及其电压的作用下,开发人员现在可以根据正向压降 (VF)和漏电流(IR)选择最适合其应用的折衷方案。

订购时,请遵循以下准则:
  - ‘U’ 针对正向压降(VF)进行优化
  - ‘M’ 针对漏电流(IR)进行优化
  - ‘H’ 高温条件下的低漏电流
  - ‘S’ 比‘H’版稍小的版本

拥有100V/30A的DPAK封装的器件
对于给定的封装尺寸,ST先进的FERD技术比肖特基势垒器件具有更好的密度和更高的效率。最新的60和100V器件具有插件、PowerFLAT™、D²PAK和DPAK封装。
更小的、经优化的封装帮助开发人员设计出功耗更低的紧凑型充电器、适配器和SMPS(开关电源),不仅功耗降低,散热器也可以减小。

Field-effect rectifier diodes pack efficiency in an even smaller package

Manufacturers of SMPS, photovoltaic systems, LED lighting and chargers have already chosen field-effect rectifier diodes (FERD) for their smaller, more efficient power converters. With better density and efficiency than Schottky diodes and offering a unique trade-off between low forward voltage drop (V F) and low leakage current (I R), 60 to 100 V FERDs take the lead for newer systems with smaller enclosures serving both stringent environmental and esthetic standards. 

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