EOS 10/1000 微秒电涌保护器件  

意法半导体’的大量EOS 10/1000 µs瞬态电压浪涌抑制器（TVS）包括TVS箝位二极管和Transil™系列，具有以下特性：

  • 高浪涌电源能力：100 W至5000 W以上
  • 即使在高结温下也能在全功率下实现同类中绝对最佳的性能
  • 高电源密度，提高了稳定性或实现了更小的封装以优化空间和节约成本

采用意法半导体’EOS 10/1000 µs电源浪涌保护器，我们能够用更小的、采用SMA封装的600 W器件替代采用SMC封装的AC 1500 W器件，从而节约了成本，同时保持相同的过压保护水平。 这种考虑对于太阳能逆变器、机顶盒、电信基站之类的应用，以及MOSFET保护与工业控制来说都至关重要。

 

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