意法半导体的50 V RF DMOS晶体管采用了最佳工艺布局,提升了HF和VHF频带下的RF性能,是ISM、HF收发器和FM广播应用的理想之选。它们具有出色的RF增益(>20 dB)与功率饱和度(高达450 W),以及高击穿电压(高达200 V以上)和更高的耐用性。

主要特性:

  • 输出功率:高达350 W
  • 击穿电压BVDSS:高达200 V以上
  • 极高的强度:无穷大:1 VSWR(全相)
  • 同类中最高的可靠性:1百万次电力循环
  • 低热阻
  • 与陶瓷封装相比,意法半导体的STAC封装使结-壳之间热阻降低了25%,同时提升了RF性能。
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