28 / 32V RF LDMOS器件，HF至1GHz  

意法半导体’的28/32 V LDMOS晶体管面向工作频率高达1 GHz的应用，是中继器、基站和政府宽带通信等应用的理想之选。 它们提供陶瓷封装和低成本PowerSO-10RF塑料封装选项。

主要特性：

  • 频率：HF ~ 1 GHz
  • 击穿电压BVDSS：>65 V
  • 电源电压：高达32 V
  • 输出功率：2 ~ 120 W
  • 增益：>14 dB
  • 效率：>50%
  • 以晶片形式提供

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