TO-247 8x8 HVパッケージに収容された、ブレークダウン電圧が650 Vを超えるSTのMOSFETは、低いゲート・チャージと最小0.690 Ω(1200 V)の低いオン抵抗を提供しています。これらは、SMPS、PVインバータ、3相給電、およびモータ制御アプリケーションの広範な要件を満たすように最適化されています。利用可能な規定電圧は700V、800V、850V、900V、950V、1000V、1200V、1500Vなどです。


  • 優れたスイッチング動作
  • 1500Vのアバランシェ定格デバイス
  • 完全に絶縁された産業用高沿面TO-3PF

これらのMOSFETは、DPAK、IPAK、D2PAK、I2PAK、H2PAK、ISOTOP、PowerFLAT 5x6 VHV、TO-220、SOT-223、TO-247、TO-3PFなど、放熱効率が高い業界標準のさまざまな小型パッケージで提供されます。

1200 V MDmesh K5 power MOSFETs

ST’s MDmesh K5 series of super-junction MOSFETs has been extended with the introduction of 1200 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. Ideal for welding, 3-phase SMPS, solar-micro inverters and lighting applications, they feature the industry’s best figure of merit (FoM) thanks to the low on-resistance (down to 0.69 Ω in the TO-220 package) combined with ultra-low gate charge (44.2 nC).

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