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功率MOSFET

意法半导体的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体面向高、低压MOSFET的制程增强了功率处理能力,从而实现了高效解决方案。

产品的主要特性包括:

  • 击穿电压范围:-500 ~ 1500 V
  • 提供30多种封装选项,包括带有专用控制引脚、能够提高开关效率的新型4引脚TO247-4封装和1-mm表贴封装PowerFLAT™ 8x8 HV、PowerFLAT 5x6 HV及VHV封装。这些表贴封装带有大片裸露金属作为漏极,使得其具有优异散热能力。
  • 改善了栅电荷,降低了功耗,满足了当今极具挑战性的效率要求
  • 面向所选产品线的本征快速体二极管

在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内,意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。

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两种新型SMD功率封装扩展了功率MOSFET产品组合

ST增加了两种新型SMD功率封装选项,即 PowerFLAT 5x6 HV(1.9 mm沿面距离)和PowerFLAT 5x6 VHV(2.7 mm沿面距离),扩展了其高压(600/650 V)及超高压(800 V)MOSFET产品组合。它们的尺寸比流行的DPAK缩小了52%,厚度仅为1 mm,是高效率、高紧凑度设计的理想选择,可用于太阳能微逆变器、电池充电器及计算机电源等应用。大裸露金属漏垫优化了散热。
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