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N-沟道 (>650V)

意法半导体击穿电压高于650 V的MOSFET采用TO-247封装,提供了低栅极电荷和低至0.690 Ω(1200 V)的低导通电阻。对它们进行了优化,从而满足了SMPS、PV逆变器、三相电源和电机控制应用的各种要求。提供的比电压包括700 V、800 V、850 V、900 V、950 V、1000 V、1200 V和1500 V。

在该额定电压下,MOSFET具有如下特性:

  • 出色的开关性能
  • 额定雪崩电压为1500 V的器件
  • 面向工业应用的全隔离、高爬电TO-3PF

这些MOSFET提供了多种行业标准小型和高散热型封装选项,例如DPAK、IPAK、D2PAK、I2PAK、H2PAK、ISOTOP、PowerFLAT 5x6 VHV、TO-220、SOT-223、TO-247和TO-3PF。

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