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IGBTs

ST 的绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 击穿电压为 350 V 至 1300 V,切换性能与低通态特性之间达到最佳匹配,可全面提高系统设计能效。 ST 还推出新型简单、高性能交流电机驱动器件 IGBT 智能模块系列,最大功率 2 kW。

650 V IGBT HB系列

650 V IGBT HB系列
意法半导体的650 V IGBT HB系列得益于先进的专有沟槽栅场终止(TGFS)结构,结合了极低的饱和电压(低至1.6 V)与最小的集电极关断尾电流、175°C的最高工作温度,提高了太阳能逆变器、焊机、UPS、PFC等高频应用的效率。严格控制参数和正VCE(sat)降额实现了多个IGBT的安全并联,从而满足更高的功率要求和简化设计。
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