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28 / 32V RF LDMOS器件,HF至2GHz

意法半导体’的28/32V LDMOS晶体管面向工作频率高达2 GHz的应用,在上一代LDMOS的基础上大幅改进了RF性能(+4 dB的增益、+15%的效率)、耐用性(>20:1 VSWR)和可靠性。 它们提供陶瓷封装和低成本PowerSO-10RF塑料封装选项,是中继器、基站、政府宽带通信和L波段卫星上行链路设备等应用的理想之选。

主要特性:

  • 频率:HF ~ 2 GHz
  • 击穿电压BVDSS:>80 V
  • 电源电压:高达32 V
  • 输出功率:高达150 W
  • 增益:20 dB
  • 效率:65%
  • 耐用性:>20:1 VSWR全相(CW)
  • 以晶片形式提供
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