ST Life.augmented

FD-SOI

FD-SOI

User Experience過去数十年間、トランジスタは、高性能化と低消費電力化に向け、継続的に微細化されてきました。これにより、電子機器の性能は向上し、より多くの実用的で付加価値の高い作業を、以前より迅速、明確かつ効率的に行えるようになりました。これは、業界において、「ユーザ・エクスペリエンスの向上」と呼ばれています。

「ムーアの法則」の限界
トランジスタが数十ナノメートル以下まで微細化される昨今、次世代技術に向けた取り組みの中で、さまざまな課題が出てきています。例えば、トランジスタの微細化により、今では消費電力の大部分をリーク電流が占めるようになりました。

バルクシリコン型トランジスタは、リーク電流を制御しながら高い性能を提供し続けるために、新たな工程の追加でこれまで以上に複雑になっており、最近では、高コストな3次元構造への移行も検討されています。

FD-SOIのイノベーション
STは、複数のパートナーと共に、既存の製造手法をより多く利用するシリコン・プロセス技術の新たなイノベーションを代替案として発表しました。完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)は、トランジスタ形状の微細化によるメリットを生かすと同時に、製造プロセスを実質的に簡略化できるプレーナ型プロセス技術です。

 

 

 

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