ST Life.augmented
sense_power

トランジスタ

高電圧および低電圧アプリケーション向けの最先端パワー・テクノロジーは、あらゆる種類のパッケージおよび革新的なダイ・ボンディング技術と合わせて、パワー・トランジスタにおけるSTの革新性を示しています。 STのポートフォリオには、-500~1500VのMOSFET、高温でも面積当たりのオン抵抗が低いシリコン・カーバイド(SiC)MOSFET、ブレークダウン電圧範囲が350~1300VのIGBT、および幅広いパワー・バイポーラ・トランジスタが含まれています。

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