ST Life.augmented
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パワーMOSFET

STのMOSFETポートフォリオは、-500V~1500Vの広範なブレークダウン電圧を低いゲート電荷およびオン抵抗と合わせて最先端のパッケージで提供します。STの高電圧および低電圧MOSFET向けプロセス技術によって電力処理能力が向上した結果、効率の高いソリューションがもたらされました。

STの幅広いポートフォリオの主な特徴は以下のとおりです。

  • -500 V~1500 Vのブレークダウン電圧範囲
  • スイッチング効率を向上させる専用の制御ピンを備えた新しい4リードTO247-4、露出した大きな金属製ドレイン・パッドによる優れた熱的性能を備えた高さ1mmの表面実装PowerFLAT™ 8x8 HVとPowerFLAT 5x6 HV、VHVなど、30を超えるパッケージ・オプション
  • 今日の厳しい効率要件を満たすように改善されたゲート電荷と低くなった電力損失
  • 厳選された製品ライン向けの内蔵高速ボディ・ダイオード

STは、POL、通信用DC-DCコンバータ、PFC、スイッチ・モード電源、車載機器などのアプリケーションに対応する各電圧範囲で設計するのに適したMOSFETを取り揃えています。

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I2PAKFP package extends super-junction high-voltage MOSFET offering

Ideal for compact LED driver applications and slim laptop adapters, the I2PAKFP package option extends ST’s portfolio of 800 V MDmesh K5 MOSFETs and 600 V MDmesh M2 MOSFETs. Compared to the TO-220FP, this fully-molded package is 30% shorter in body height, yet maintains the same level of thermal performance and electrical isolation.  A clip can be used to mount the package, resulting in more uniform contact pressure and good thermal contact. In slim designs, the package can be mounted above the standoff height, which improves the overall reliability.
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