ST Life.augmented
sense_power

Nチャネル(650V~)

PowerFLAT 8x8 HVパッケージに収容された、ブレークダウン電圧が650Vを超えるSTのMOSFETは、低いゲート・チャージと最小0.275Ω(850V)の低いオン抵抗を提供しています。 これらは、SMPS、PVインバータ、3相給電、およびモータ制御アプリケーションの広範な要件を満たすように最適化されています。 利用可能な規定電圧は700V、800V、850V、900V、950V、1000V、1200V、1500Vなどです。

この電圧定格でのMOSFETの特徴は、以下のとおりです。

  • 優れたスイッチング動作
  • 1500Vのアバランシェ定格デバイス
  • 完全に絶縁された産業用高沿面TO-3PF

これらのMOSFETは、DPAK、IPAK、D2PAK、I2PAK、H2PAK、ISOTOP、PowerFLAT 8x8 HV、TO-220、SOT-223、TO-247、TO-3PFなど、放熱効率が高い業界標準のさまざまな小型パッケージで提供されます。

High-voltage SuperMESH 5 MOSFETs feature lowest FOM

ST's SuperMESH 5 MOSFETs are the industry's first super-junction MOSFETs capable of withstanding peak voltages up to 950 V. The portfolio also includes 800 V, 850 V and 900 V devices and offers the best-in-class figure of merit. This enables designers to meet the stricter power and efficiency targets set by eco-design standards and to target green-energy applications such as solar micro-generators and charging points for electric vehicles.

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