ST Life.augmented
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IGBT

ブレークダウン電圧が350 V~1300 VであるSTのIGBTは、独自技術によってスイッチング性能とオンステート動作のトレードオフを最適化し、モータ制御、太陽光発電、UPS、車載、誘導加熱、溶接、照明、およびその他のアプリケーションにエネルギー効率の良いより優れた総合的なシステム設計をもたらします。

STのIGBTポートフォリオの主な特徴には以下のものなどがあります。

  • 伝導損失を低減させた低いVCE(SAT)
  • 温度上昇に対するスイッチオフ・エネルギーの拡散を改善してスイッチング損失を低減
  • 設計の簡素化と容易なパラレル化のための狭いパラメータ分布
  • 電力損失の改善と温度管理の最良化のために、調整済みアンチパラレル・ダイオード・オプションをパッケージに実装

これらのIGBTは、白物家電に最適な標準パンチスルー技術と、テール電流を最小化した極めて高速なターンオフ時間、温度安定性のある動作、および低いVCE(SAT)を実現する新しく導入されたトレンチゲート・フィールドストップ技術の両方に基づいており、温度による正のディレーティングと相まってアプリケーションの効率を向上させます。

650 V IGBT HB series

Leveraging the advanced proprietary trench gate field-stop (TGFS) structure, ST’s HB series of 650 V IGBTs combine a very low saturation voltage (down to 1.6 V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C, enhancing the efficiency of high-frequency applications such as solar inverters, welders, UPS and PFC. Tight control over parameters combined with a positive VCE(sat) derating enables safe paralleling of multiple IGBTs for higher power requirements and design simplification.
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