ST Life.augmented
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IGBT



ブレークダウン電圧が350V~1,300VであるSTのIGBTは、独自技術によってスイッチング性能とオンステート動作のトレードオフを最適化し、モータ制御、太陽光発電、UPS、車載、誘導加熱、溶接、照明などのアプリケーションでエネルギー効率に優れた多種多様なシステムの設計を可能にします。

STのIGBTポートフォリオには以下の特徴があります。

  • 低いVCE(SAT)による導通損失の低減
  • 温度上昇に対するスイッチオフ・エネルギー拡散の改善によるスイッチング損失の低減
  • デザインの簡素化と並列処理の容易化のための狭いパラメータ分布
  • 調整されたアンチパラレル・ダイオードを同一パッケージに集積して電力損失の低減と最良のサーマル・マネージメントを実現

これらのIGBTは、大型家電製品に最適な標準パンチスルー技術と、テール電流を最小化した極めて高速なターンオフ時間、温度安定性の高い動作、および低いVCE(SAT)を実現する、新しく導入されたトレンチゲート・フィールドストップ技術の両者をベースにしており、温度に対する正のディレーティングと相まってアプリケーションの効率を向上させます。

1200V IGBT Sシリーズ

低周波数(最大8kHz)のハードスイッチング・トポロジに最適化されたSTの1200V IGBT Sシリーズは、現在市場にある1,200V IGBTの中で最も低いVCE(sat)を実現しています。STの第3世代のトレンチゲート・フィールドストップ技術をベースにした1200V IGBT Sシリーズは、伝導性能とスイッチング性能の最適なトレードオフと極めて高い堅牢性およびEMI特性によって、電源、溶接機、および工業用モータ駆動アプリケーションの効率を向上させます。定格電流は15A、25A、および40A、接合部最高動作温度は175℃、短絡耐久時間は最小10µsであり、広い安全動作領域(SOA)を持っています。