ST Life.augmented
sense_power

耐放射線パワーMOSFET

高い信頼性と放射線耐性を備えたSTのパワーMOSFETは、高信頼性要件と宇宙アプリケーション向けに特化して設計されています。 最大100 Vのブレーク電圧、最大48 Aのドレイン電流、最小30 mΩのRDS(on)の範囲の製品があります。

これらはESCC規格の認定を取得しており、70 kradのTID放射線性能を満たしています。 
これらの製品は、すべてを欧州内で設計しているため、欧州の輸出規則にのみ制約されます。

また、ダイとパッケージ(スルーホール・ハーメチック・パッケージのTO-254AAを含む)で供給しています。 

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