ST Life.augmented
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RF DMOSトランジスタ

STは、28 V~150 Vの供給電圧で動作するRF DMOSトランジスタの幅広いポートフォリオを提供しています。これらは、周波数範囲が1 MHz~250 MHzのアプリケーションを対象としており、高いピーク電力(最大1.2 kW)と高い破壊耐性(無限:VSWRは1)を備えています。

ターゲット・アプリケーションには、以下のものがあります。

  • RFプラズマ・ジェネレータ
  • レーザ・ドライバ
  • RF加熱
  • MRI(磁気共鳴映像法)
  • HFトランシーバ
  • FM放送

STAC®エアキャビティ・パッケージに収容された50 V DMOS RF MOSFET

STの革新的なSTACエアキャビティ・パッケージに収容された新しい50 V DMOSデバイスは、セラミック・パッケージに収容されたデバイスより25%低い熱抵抗によりMTTFが向上し、更にRF特性(350Wまで)と要求される耐力(全位相においてVSWR65で規定)が改善されています。これらは、PECVD用RFジェネレータ、プラズマ・スパッタリングおよびフラットパネル、ソーラーセル製造装置などのアプリケーションに対し、費用対効果に優れたソリューションになります。
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