Il nuovo impianto d’avanguardia, che produrrà sia memorie Flash NAND sia DRAM, è il risultato del successo della collaborazione esistente tra Hynix e la ST. Entrambi i partner trarranno vantaggio dalle notevoli economie di scala, da un accesso più immediato al mercato cinese in rapida crescita, e dalla complementarietà dei rispettivi punti di forza nei processi e nello sviluppo dei prodotti.

Lo stabilimento di Wuxi accelererà il progresso della ST nel mercato delle memorie Flash NAND e renderà disponibili a un costo concorrenziale i chip di memoria DRAM ad alte prestazioni, utilizzati nelle soluzioni embedded assieme alle memorie Flash. La nuova fabbrica accrescerà la capacità manifatturiera di fette di silicio da 300 mm di Hynix, e ne rafforzerà la posizione di leader nel mercato cinese dei semiconduttori, quello con il maggior tasso di crescita al mondo. Attualmente, Hynix occupa il primo posto nella classifica dei fornitori di DRAM in Cina con una quota di mercato che raggiunge circa il 47%, in base ai dati più recenti pubblicati da iSuppli. Con il completamento dello stabilimento di Wuxi, Hynix aggiunge un’altra fabbrica globale a quella americana di Eugene, Oregon.

Le due società hanno posto la prima pietra dell’insediamento produttivo di Wuxi nell’aprile 2005. Su una superficie di 550.000 m², di cui 20.000 m² destinati a camera bianca (ambienti a polverosità rigorosamente controllata), la produzione di volumi è iniziata già nel luglio del 2006 e nell’ottobre del 2006, rispettivamente nella linea a 200 mm e a 300 mm. Attualmente, per le DRAM vengono utilizzate tecnologie di processo da 90 nm e 110 nm con fette di silicio da 200 mm, e da 80 nm a 300 mm. Entro la prima metà dell’anno prossimo, le linee inizieranno a produrre memorie Flash in aggiunta alle attuali DRAM basate sulle tecnologie più sofisticate. Oggi vengono prodotti 50.000 fette di silicio al mese a 200 mm e si prevede che la linea a 300 mm, a regime, avrà una capacità di 18.000 fette di silicio al mese. La suddivisione tra i diversi tipi di prodotti e le densità di memoria dipenderà dalle condizioni di mercato.

Lo stabilimento costruito insieme da 2 miliardi di dollari è finanziato in parte con il capitale societario a cui la STMicroelectronics e Hynix partecipano rispettivamente per un terzo e due terzi, e tramite un pacchetto di finanziamenti resi disponibili da istituzioni locali cinesi e dalla STMicroelectronics.

La società in joint-venture ha circa 2000 dipendenti, in maggioranza lavoratori locali. Wuxi, a sole 2 ore da Shanghai, permette di accedere a vaste risorse di manodopera altamente ualificata e a infrastrutture solide e ben sviluppate, con ampi margini di espansione.

Carlo Bozotti, President & CEO della STMicroelectronics, ha affermato: “Una joint-venture di queste dimensioni è probabilmente la più grande nel suo genere tra una società coreana e un’europea. Offre ad entrambi i partner importanti benefici per le economie di scala e la complementarietà. La garanzia di poter accedere, a costi competitivi, a memorie DRAM e a tecnologie e prodotti NAND sviluppati congiuntamente rafforza la posizione di leader della ST nell’integrazione di più chip in un package. Grazie alla nostra capacità di “impilare” diversi chip di memoria in un solo package, offriamo ai nostri clienti in Cina e in tutto il mondo da una parte un aumento di densità della memoria e una maggiore affidabilità del dispositivo, dall’altra un risparmio di spazio nei telefoni cellulari e in altre applicazioni di elettronica di consumo e industriali.”Mario Licciardello, Corporate Vice President e Direttore Generale del Gruppo Prodotti di Memoria della STMicroelectronics, ha commentato: “Nel 2005 il mercato delle Flash NAND è aumentato più rapidamente di quanto sia mai capitato per qualunque altro segmento in tutta la storia dei semiconduttori, sulla spinta di una domanda in crescita esponenziale di capacità di memoria sempre maggiore per telefoni cellulari, macchine fotografiche digitali e lettori audio portatili. L’aumento in volumi della produzione di
fette di silicio da 300 mm di diametro nelle tecnologie NAND SLC (Single-Level Cell) o MLC (Multi-Level Cell) da 60 nm, che presto diventeranno 55 nm o meno, aiuterà la ST a tenere
il passo con questa crescita e a rispondere alla domanda dei nostri clienti che esigono soluzioni di memoria ad alte prestazioni, a un costo competitivo, per il mercato dell’elettronica digitale di consumo e dei sistemi mobili.”

Eui-Jei Woo, Chairman & CEO di Hynix Semiconductor, ha affermato: “Il completamento dell’impianto di diffusione di Wuxi non sarebbe stato possibile senza la collaborazione con
la ST e il supporto della città di Wuxi. Hynix è convinta che questa joint-venture rafforzerà ulteriormente il rapporto di collaborazione tra la ST, Wuxi e Hynix. Il nuovo stabilimento è funzionale alla crescita sul lungo periodo di entrambe le aziende. Sono convinto che l’impianto di Wuxi sarà un valido sostegno per fare di Hynix un produttore globale di memorie.”

O. C. Kwon, Vice Presidente senior per la Pianificazione Strategica di Hynix Semiconductor e Chairman di Hynix-ST Semiconductor Ltd. ha affermato: “Con il completamento dell’impianto di Wuxi, Hynix ha consolidato una rete manifatturiera globale che collega la Corea, gli Stati Uniti e la Cina. Questa joint-venture è una solida base per garantire competitività a Hynix nel lungo periodo.”

La società di ricerche di mercato iSuppli prevede che quest’anno il mercato delle DRAM crescerà del 24,4%, raggiungendo il fatturato record di 30,9 miliardi di dollari, e che il mercato delle Flash NAND aumenterà del 17% nel 2006, fino a 12,6 miliardi di dollari.

La Cina, il mercato di semiconduttori con la crescita più rapida al mondo, rappresenta attualmente il 15% del mercato globale. Si prevede che il mercato cinese diventi il maggior
mercato al mondo, rappresentando entro il 2008 più di un quarto del mercato di semiconduttori globale.

Alcune informazioni su Hynix
Hynix Semiconductor Inc. (HSI) con sede a Icheon, Corea, è
tra i primi fornitori al mondo di memorie a semiconduttore.
Offre DRAM (Dynamic Random Access Memory) e memorie Flash a un vasto portafoglio di grandi clienti internazionali. Le azioni della società sono scambiate alla Borsa coreana e le sue Global Depository Share sono quotate alla Borsa del
Lussemburgo. Per ulteriori informazioni su Hynix si consiglia di visitare il sito www.hynix.com.

Alcune informazioni sulla STMicroelectronics
La STMicroelectronics è leader a livello globale dallo sviluppo alla consegna, nelle soluzioni a semiconduttore per tutta la gamma di applicazioni microelettroniche. Grazie ad un’ineguagliata combinazione di esperienza nel silicio e nei sistemi, grandi capacità manifatturiere, portafoglio di proprietà intellettuale e partner strategici, l’azienda è all’avanguardia nella tecnologia del System-on-Chip (sistema completo su singolo chip) e i suoi prodotti hanno un ruolo essenziale nel rendere possibile l’attuale convergenza di applicazioni e mercati. Le azioni della Società sono quotate al New York Stock Exchange, a Euronext Paris e alla Borsa Italiana. Nel 2005 i ricavi netti della Società sono stati pari a 8,88 miliardi di dollari e gli utili netti a 266 milioni di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com.

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