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BiCMOS

BiCMOS

宽带数据激增和不断变化的相关电信标准要求采用电路复杂度越来越高的高性能器件。新型高数据速率服务推进了更高工作频率在光学和无线系统上的应用,同时要求提高芯片集成度、降低功率和优化成本。

汽车雷达(24/77GHz)、卫星通信、LAN RF收发器(60GHz)、点对点收音机(V频带/E频带)、国防、安全和仪器仪表之类的新型微波应用也极度需要RF性能和工作条件。

为了满足这种需求,意法半导体大力投资BiCMOS技术。

BiCMOS:一举两得
BiCMOS将 2种不同制程的优势整合到了单个芯片之中:双极晶体管的高速度和高增益对高频模拟器件至关重要,而CMOS技术可构建简单的低功耗逻辑门。

通过在单个芯片上整合RF、模拟和数字元件,意法半导体的BiCMOS SiGe(硅锗)技术大幅减少了外部元件的数量,同时还优化了功耗。

Cellular and Optical

如今,意法半导体的BiCMOS制程提供了最近只能由砷化镓(GaAS)等更昂贵的技术方能实现的性能水平,同时还能大幅提高集成度。

在给定技术节点下,BiCMOS异质结双极晶体管(HBT)的截止频率比体效应CMOS高得多。为了达到类似的频率,体效应CMOS设计必须采用小得多的工艺节点,从而牺牲设计和花费大量时间,进而降低性能,增加成本。

因此,由于它优于替代产品的成本曲线,意法半导体的BiCMOS实现了新商业案例。

意法半导体引领BiCMOS制程的发展
凭借设计、架构和工艺集成方面的专业知识,意法半导体推出了先进的SiGe BiCMOS技术,进而实现了高性能RF IC设计。

BiCMOS portfoloio

 

BiCMOS Comparison


如今,意法半导体的BiCMOS技术被应用到全球大多数无线基站和光收发器以及无线终端、汽车雷达和仪器仪表解决方案之中。

提供最先进的技术
意法半导体的BiCMOS制程采用真正的混合信号法设计而成,提供实现最佳产品设计所需的各项技术,包括:

  • 各种MOS和双极晶体管
  • V-PNP、DMOS、双栅氧化物MOS
  • SiGe-C HBT,实现最佳速度-噪声比
  • 面向高质量电导和低损耗传输线路的毫米波专用金属层(厚铜箔)

与高电阻率基板和深沟槽隔离技术相结合,意法半导体的BiCMOS制程提供了同类中最佳的隔离效果,进而实现RF模块的有效整合。

面向最佳设计和制造的全套产品
在整个有效设计流程方面,意法半导体的BiCMOS设计平台由先进的CAD工具支持,包括一整套仿真模型。很多用户利用它成功实现了IC设计,从而证明了其效用。

意法半导体可以同步很多不同的、面向BiCMOS技术的业务模型,从纯代工服务到各种ASIC设计、开发与支持服务,从而让意法半导体能够灵活满足任何用户需求。

意法半导体拥有利用BiCMOS技术开发模拟、RF和数字IP的丰富经验,减轻了用户的产品设计负担,同时能够保证产品快速面市。

 

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