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STM32F303/313

STM32F303产品系列基于STM32F302器件,但是由于采用了特殊的存储器架构,所以处理性能提升了40%以上。
该产品系列集成了最多的模拟外设。

它们具有作为内核耦合存储区(CCM-SRAM)并映射到指令总线上的8KB SRAM。启动时加载到8KB CCM中的关键程序可以零等待周期全速运行,从而在72 MHz的频率下实现90 Dhrystone MIPS的性能。与从Flash或SRAM执行时63 DMIPS的性能相比,这相当于将关键程序的性能提升了43%。

它们与相应的STM32 F1器件引脚兼容,采用与之相同的API。它们能够提供ARM Cortex-M4内核强大的FPU指令集,并且具有一组增强型外设,包括比较器、PGA、DAC和高速ADC。电机控制、功率转换和照明之类的一般应用将受益于其更好的性能。除此之外,他们还能削减应用的BOM成本,提高终端应用的竞争力。

其特性包括:

  • 快速比较器(50 ns)
  • 可编程增益放大器(4种增益范围)
  • 12位DAC
  • 快速12位ADC(单通道每秒5 M次采样、交替模式下可达到每秒18 M次采样)
  • 用于电机控制的快速144 MHz定时器、分辨率高达7 ns
  • USB和CAN

STM32F303的工作电压范围为2.0 ~ 3.6 V。 

在2014年第2季度,将提供STM32F303的1.8V版本,即STM32F358。此电压范围能使芯片更方便地集成于移动应用中,也可在使用外部稳压器时节省功耗。

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