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N-沟道 (>150V 至 400V)

意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ(200 V)的低导通电阻,采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电(PoE)、逆变器和汽车应用的各种要求。

提供的比电压包括200 V、250 V、300 V、330 V和400 V。

这些MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项:DPAK、D2PAK、ISOTOP、Max247、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247和PowerFLAT 5x6。

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