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功率晶体管

面向高压和低压应用的先进电源技术以及多种封装选项和创新型晶片键合技术说明了意法半导体’在功率晶体管领域的创新。 我们的产品包括-500~1500V MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET（即使在高温下，它也能在单位面积上实现低通态电阻）、击穿电压范围为350~1300V的IGBT和大量功率双极晶体管。

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