意法半导体’的ESBT包含与低压功率MOSFET级联的高压功率双极晶体管,是高效快速开关应用的理想之选,例如三相辅助电源。 它们提供1700 ~ 2200 V的集电极-源极电压。 主要特性:
600 V MDmesh II Plus low Qg MOSFETs
MDmesh V MOSFETs in 1 mm-high PowerFLAT 8x8 HV package
Automotive power MOSFETs
MDMesh V powerful efficiency