这些功率双极晶体管是电源和照明应用的理想之选。 它们提供高达2000 V的击穿电压,采用意法半导体’专有的平面扩散集电极技术,实现了最佳性价比。
主要特性:
600 V MDmesh II Plus low Qg MOSFETs
MDmesh V MOSFETs in 1 mm-high PowerFLAT 8x8 HV package
Automotive power MOSFETs
MDMesh V powerful efficiency