意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面向高、低压MOSFET的工艺技术增强了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。
产品的主要特性包括：
- 击穿电压范围：-500 ~ 1500 V
- 30多种封装选项，包括1-mm高表面贴装PowerFLAT™ 8x8 HV
- 为650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *区域值（0.029 Ω、TO-247封装）
- 改善了栅极电荷，降低了功耗，满足了当今’极具挑战性的效率要求
- 面向所选产品线的本征快速体二极管
在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内，意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。
600V MDmesh II Plus™低Qg MOSFET
意法半导体的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列产品具有极低的栅电荷（Qg）和出色的输出电容Coss曲线，是谐振型电源（LLC转换器）的理想之选，同时还支持PFC、TTF或反激式硬开关拓扑。与上一代产品（MDmesh II）相比，它大幅降低了栅电荷和开关损耗。高dv/dt稳定性（50 V/ns）让器件即使出现了大电压瞬态（如AC电源线上的噪声和谐波）也能可靠运行。
MDmesh V MOSFET in new 4-lead TO247-4 package
Co-developed with Infineon, the 4-lead TO247-4 package features a dedicated pin used only for switching control, increasing the switching efficiency and enabling higher-frequency operation for more compact designs. It also requires minimal modification of the PCB when replacing a standard 3-pin TO-247 device. Combining this new package with ST’s MDmesh V technology, which achieves one of the best industry’s on-state per silicon area performance, delivers greater overall energy savings combined with simplified power supply design. The first MDmesh V device in the 4-lead TO247-4 to enter in production is the 650 V, 63 mΩ STW57N65M5-4.
