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N-沟道 (12V 至 40V)

意法半导体击穿电压范围为12 V ~ 40 V的MOSFET提供了超低栅极电荷和低至1.3 mΩ(30 V)的低导通电阻,采用PowerFLAT 5x6封装。对它们进行了优化,从而满足了负载点(POL)、VRM、主板、笔记本电脑、便携式和超便携式电器、线性调节器、同步整流和汽车应用的各种要求。

在该额定电压下,MOSFET具有如下特性:

  • 极低的RDS(on)
  • 广泛的封装选项,包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装
  • 标准、逻辑和超逻辑级阈值
  • SAFeFET(Simple Added Features FET)MOSFET还具有下述其中一种特性:温度感应、电流感应、ESD保护和漏源击穿箝位

这些MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项:DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220和PowerFLAT(2x2、3.3x3.3、5x6、5x6双岛、5x6不对称双岛和5x6共漏极)。

通过AEC-Q101认证的30和40 V STripFET VI DeepGATE MOSFET

相对于其有效芯片尺寸而言,意法半导体基于STripFET VI DeepGATE技术的MOSFET的导通损耗极低。这些30 V(后缀为H6)和40 V(后缀为F6)MOSFET将电驱动和控制内的能量损耗降至了最低水平,从而提高了效率,同时还降低了发热量,实现了更小、更轻的组件。它们具有导通电阻(3.0~12.5 mΩ)低的特点,采用行业标准DPAK或D2PAK表面贴装功率封装,从而节约了板空间。新推出的功率MOSFET系列还包括逻辑级和标准级两种类型。

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