意法半导体’击穿电压范围为40 ~ 150 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至2.6 mΩ（60 V）的低导通电阻，采用H2PAK-6封装。 对它们进行了优化，从而满足了负载点（POL）、同步整流、UPS、电机控制、汽车、LED照明、逆变器和以太网供电（POE）应用的各种要求。

在该额定电压下，MOSFET具有如下特性：

• 极低的R_DS(on)
• 广泛的封装选项，包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装

这些MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项：DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、Max247、TO-247和PowerFLAT（3.3x3.3、5x6和5x6双岛）。