ST Life.augmented
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N-沟道 (>40V 至 150V)

意法半导体’击穿电压范围为40 ~ 150 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至2.6 mΩ(60 V)的低导通电阻,采用H2PAK-6封装。 对它们进行了优化,从而满足了负载点(POL)、同步整流、UPS、电机控制、汽车、LED照明、逆变器和以太网供电(POE)应用的各种要求。

在该额定电压下,MOSFET具有如下特性:

  • 极低的RDS(on)
  • 广泛的封装选项,包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装

这些MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项:DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、Max247、TO-247和PowerFLAT(3.3x3.3、5x6和5x6双岛)。

80和100 V STripFET VII DeepGATE MOSFET

80和100 V STripFET VII DeepGATE MOSFET
增强型沟槽-栅结构为意法半导体的80和100 V STripFET VII DeepGATE MOSFET系列产品提供了业内最低的通态电阻,降低了内部电容和栅电荷,从而实现了更快、更有效的转换。其出色的品质因数(FoM)和高雪崩耐量有助于简化设计,降低设备尺寸和成本,同时提高应用可靠性,例如电信或计算系统、太阳能逆变器、工业自动化和汽车应用。
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