STP260N6F6
N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package-
活性
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
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数据表
Key Features
- Low gate charge
- Very low on-resistance
- High avalanche ruggedness
图案 资源
顶部Technical Documentation
Product Specifications
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
DS6824: N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220 and I²PAK packages
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5.0 | 750 KB |
Application Notes
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
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AN4191: Power MOSFET: Rg impact on applications
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1.0 | 1,489 KB |
HW Model & CAD Libraries
HW Model & CAD Libraries
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
STP260N6F6 PSpice model
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1.0 | 1 KB |
Presentations & Training Material
Presentations
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
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60 V to 80 V STripFETVI DeepGATE
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1.0.0 | 748 KB |
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STripFET VI DeepGATE
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1.0.0 | 892 KB |
样品 & 购买
顶部| 产品型号 | Marketing Status | Package | Packing Type | Automotive Grade | Order From ST | Unit Price (US$)* @ 1000 | Distributor Availability | RoHS Compliance Grade | Download Material Declaration** |
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| STP260N6F6 | Active | TO-220AB | Tube | _ | - | 3.2 |
| Ecopack2 | PDF XML | |||||||||||||||||||||||||
(*) 建议零售价格仅用于预算，以美元为单位，每。的报价，以当地货币计算的价格，请联系您当地的 ST 销售办事处 或我们的 分销商 (**) 材料声明表格上提供st.com可以是一般的文件，根据最常用的包，包内的家庭。出于这个原因，他们可能不是100％准确，对于一个特定的设备。请联系我们 销售支持 在特定设备上的信息。 |
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