STL75N8LF6
N-channel 80 V, 5.6 mOhm, 18 A, PowerFLAT(TM) 5x6 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET-
活性
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
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数据表
Key Features
- RDS(on)* Qgindustry benchmark
- Extremely low on-resistance RDS(on)
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
图案 资源
顶部Technical Documentation
Product Specifications
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
DS7218: N-channel 80 V, 5.6 mΩ, 18 A, PowerFLAT™ 5x6 STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET
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3.0 | 792 KB |
Application Notes
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
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AN1703: Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
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1.2 | 759 KB |
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AN4191: Power MOSFET: Rg impact on applications
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1.0 | 1,489 KB |
Presentations & Training Material
Presentations
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
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60 V to 80 V STripFETVI DeepGATE
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1.0.0 | 748 KB |
|
ST products and solutions for solar energy
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1.0.0 | 2,135 KB |
样品 & 购买
顶部| 产品型号 | Marketing Status | Package | Packing Type | Automotive Grade | Order From ST | Unit Price (US$)* @ 1000 | Distributor Availability | RoHS Compliance Grade | Download Material Declaration** |
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| STL75N8LF6 | Active | PowerFLAT 5x6 | Tape And Reel | _ | 1.5 |
| Ecopack2 | - | |||||||||||
(*) 建议零售价格仅用于预算，以美元为单位，每。的报价，以当地货币计算的价格，请联系您当地的 ST 销售办事处 或我们的 分销商 (**) 材料声明表格上提供st.com可以是一般的文件，根据最常用的包，包内的家庭。出于这个原因，他们可能不是100％准确，对于一个特定的设备。请联系我们 销售支持 在特定设备上的信息。 |
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