STP24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus(TM) low Qg Power MOSFET in TO-220 package-
活性
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
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数据表
Key Features
- Extremely low gate charge
- Lower RDS(on)x area vs previous generation
- MDmesh II Plus™ low Qg
- Low gate input resistance
- 100% avalanche tested
图案 资源
顶部Technical Documentation
Product Specifications
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
DS9377: N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220 and TO-247 packages
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3.0 | 1,164 KB |
HW Model & CAD Libraries
HW Model & CAD Libraries
| 描述 | 版本 | 大小 |
|---|---|---|
STP24N60M2 PSpice model
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8 KB |
样品 & 购买
顶部| 产品型号 | Marketing Status | Package | Packing Type | Automotive Grade | Order From ST | Unit Price (US$)* @ 1000 | Distributor Availability | RoHS Compliance Grade | Download Material Declaration** |
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| STP24N60M2 | Active | TO-220AB | Tube | _ | 2.5 |
| Ecopack2 | PDF XML | |||||||||||||||||||||
(*) 建议零售价格仅用于预算，以美元为单位，每。的报价，以当地货币计算的价格，请联系您当地的 ST 销售办事处 或我们的 分销商 (**) 材料声明表格上提供st.com可以是一般的文件，根据最常用的包，包内的家庭。出于这个原因，他们可能不是100％准确，对于一个特定的设备。请联系我们 销售支持 在特定设备上的信息。 |
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