意法半导体’击穿电压高于650 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至0.275 Ω（850 V）的低导通电阻，采用PowerFLAT 8x8 HV封装。 对它们进行了优化，从而满足了SMPS、PV逆变器、三相电源和电机控制应用的各种要求。 提供的比电压包括700 V、800 V、850 V、900 V、950 V、1000 V、1200 V和1500 V。
在该额定电压下，MOSFET具有如下特性：
- 出色的开关性能
- 额定雪崩电压为1500 V的器件
- 面向工业应用的全隔离、高爬电TO-3PF
这些MOSFET提供了多种行业标准小型和高散热型封装选项，例如DPAK、IPAK、D2PAK、I2PAK、H2PAK、ISOTOP、PowerFLAT 8x8 HV、TO-220、SOT-223、TO-247和TO-3PF。
高压SuperMESH 5 MOSFET具有最低的FOM
意法半导体的SuperMESH 5 MOSFET是业内首款能够经受高达950 V电压的超结MOSFET。该系列产品还包括800 V、850 V和900 V器件，具有同类中最佳的品质因数。这样，设计者就能够满足生态设计标准制定的更严格的功率和效率目标，实现绿色能源应用，例如微型太阳能发电机和电动车充电桩。
