由于采用了专利技术，意法半导体’击穿电压范围为350~1300V的IGBT在开关性能和导通状态性能之间实现了最佳折中，从而在电机控制、光伏、UPS、汽车、感应加热、焊接、照明等应用内提供了更好的全方位节能型系统设计。

该系列IGBT产品具有如下特性：

• V_CE(SAT)低，从而降低了导通损耗
• 改善了关断能量扩散，提高了工作温度，从而降低了开关损耗
• 紧密的参数分布，简化了设计，易于并联
• 组合封装型专用反向并联二极管选项改善了功率耗散，实现了最佳散热管理

这些IGBT基于标准冲压穿透技术（白家电的理想选择）和新引进的沟槽栅场终止技术，实现了极为快速的关断时间、最小的尾电流、稳定的温度性能、低V_CE(SAT)’和正降额，提高了应用效率。