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IGBT

由于采用了专利技术,意法半导体’击穿电压范围为350~1300V的IGBT在开关性能和导通状态性能之间实现了最佳折中,从而在电机控制、光伏、UPS、汽车、感应加热、焊接、照明等应用内提供了更好的全方位节能型系统设计。

该系列IGBT产品具有如下特性:

  • VCE(SAT)低,从而降低了导通损耗
  • 改善了关断能量扩散,提高了工作温度,从而降低了开关损耗
  • 紧密的参数分布,简化了设计,易于并联
  • 组合封装型专用反向并联二极管选项改善了功率耗散,实现了最佳散热管理

这些IGBT基于标准冲压穿透技术(白家电的理想选择)和新引进的沟槽栅场终止技术,实现了极为快速的关断时间、最小的尾电流、稳定的温度性能、低VCE(SAT)’和正降额,提高了应用效率。

650 V IGBT HB系列

650 V IGBT HB系列
意法半导体的650 V IGBT HB系列得益于先进的专有沟槽栅场终止(TGFS)结构,结合了极低的饱和电压(低至1.6 V)与最小的集电极关断尾电流、175°C的最高工作温度,提高了太阳能逆变器、焊机、UPS、PFC等高频应用的效率。严格控制参数和正VCE(sat)降额实现了多个IGBT的安全并联,从而满足更高的功率要求和简化设计。
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