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300-400V (内置钳位)绝缘栅双极晶体管(IGBT)

这些IGBT被用作高性能汽车点火系统的线圈驱动器,提供了不同的箝位电压(典型值介于350 V和410 V之间)和电流水平(10 A ~ 30 A)。 由于热补偿内置式齐纳二极管具有稳定的性能,所以在整个温度范围(-55 ~ 175 °C)内它们都具有极为稳定的VCES。 集成式齐纳二极管还实现了电压尖峰保护,从而能够防止IGBT在击穿条件下运行。 提供的封装选项包括DPAK、IPAK、D2PAK和TO-220。

汽车级390 V箝位型IGBT

汽车级390 V箝位型IGBT
基于意法半导体的独有PowerMESH平面穿通工艺,390 V箝位型STGD20N40LZSTGB20N40LZ IGBT成为笔式线圈电子点火开关应用领域的理想选择,主要缘于其高闭锁性能及SCIS坚固性(L=3 mH、TC = 150 °C时的雪崩能量为180 mJ)。这些符合AEC-Q101标准的IGBT包括DPAK和D2PAK两种封装形式,还具有下列诸项特性:栅极对发射极的ESD保护、导通状态下的低饱和电压(最大值1.8 V@ TJ = 175 °C)、高脉冲载流量及逻辑电平栅极驱动,可实现节约空间的高效、高性价比设计。
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