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600-650V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

意法半导体’的600~650V IGBT为工作频率高达100 kHz的应用提供的最大集电极电流范围为3~150A。 提供了多种版本,并且带有专用内置式反向并联二极管以实现设计优化。 利用意法半导体’获得专利的标准冲压穿透PowerMESH技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。

这些600~650V IGBT的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。 提供的封装选项包括D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247长引线和TO-3PF。

600 V沟槽栅场终止IGBT V系列

意法半导体的600 V IGBT V系列基于先进的专用沟槽栅场终止(TGFS)结构,具有业内最低的关断能量(Eoff)和低传导损耗,提高了高开关频率应用的效率,例如焊机、太阳能逆变器、感应加热器、UPS、PFC和SMPS。由于配备了超快速恢复二极管,所以还可以将启动能量损耗降至最低。严格控制参数和正VCE(sat)降额让我们能够安全地并联多个IGBT,从而满足更高的功率要求和简化设计。600 V IGBT V系列器件的额定电流为20 ~ 80 A,最高工作温度达175 ˚C,具有高dV/dt能力,性能极为稳定。还为成本较敏感的应用提供了无二极管版本。
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