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600-650V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

意法半导体’的600~650V IGBT为工作频率高达100 kHz的应用提供的最大集电极电流范围为3~150A。 提供了多种版本,并且带有专用内置式反向并联二极管以实现设计优化。 利用意法半导体’获得专利的标准冲压穿透PowerMESH技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。

这些600~650V IGBT的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。 提供的封装选项包括D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247长引线和TO-3PF。

650 V沟槽栅场终止IGBT

场终止技术基于回注式集电极和缓冲器层,能够在关断时作出快速而紧密的反应。TGFS IGBT还采用了沟槽栅技术,提高了沟道密度,降低了传导损耗,大幅提高了效率。此外,TGFS允许降低晶片厚度,提升了晶体管的热性能,提高了可靠性,简化了热管理设计。

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