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抗辐射比较器

意法半导体的抗辐射比较器由于采用 0.25 µm BICMOS工艺而具有速度极高和低功耗的特点。 它是专为维持300 krad (Si) 总剂量率、在LET阈值高达110 MeV.cm/mg条件下仍保持无单事件锁定(SEL)现象和最小化单粒子瞬变效应(SET)而设计的。

使用互补性的双极和MOSFET架构,RHF801一直适应低剂量率和高剂量率,且一直表现出增强的无低剂量率灵敏度(ELDRS)特征。 它的特征确定一直完全是在SET下进行的(可提供相关报告)。

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