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抗辐射LVDS

意法半导体的抗辐射LVDS系列包含400Mb/s LVDS驱动器、接收器和多路复用器,都具有极宽的输入共模电压范围(-4 V ~ +5 V),能够承受高达8 kV的ESD。

该系列产品采用意法半导体的0.13 µm CMOS技术,提升了该类器件相关性能参数的绝对最大额定值。

所有器件均具有冷备分和故障安全功能。辐射测试表明,它们能够承受高达300 krad(Si)的电离总剂量,抗SEL(单粒子单粒子闩锁效应)性能可高达135 MeV.cm²/mg,并且具有业界同类产品中最佳的抗SET(单粒子瞬态脉冲效应)性能,从而可以更好的满足宇航应用的要求。QML-V认证正在进行中。

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