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射频DMOS晶体管

意法半导体提供了大量工作电源电压范围为28~300 V的RF DMOS晶体管。它们面向频率为1~250 MHz的应用,具有峰值功率(高达1.2 kW)高和稳定性高(无穷:1 VSWR)的特点。

目标应用包括:

  • RF等离子体发生器
  • 激光驱动器
  • RF加热
  • 磁共振成像(MRI)
  • HF收发器
  • FM广播

50 V DMOS RF MOSFET,采用STAC®气腔封装

与采用陶瓷封装的器件相比,采用意法半导体创新型STAC气腔封装的全新50 V DMOS器件将热阻降低了25%,提高了MTTF,提升了RF性能(高达350 W)和稳定性要求(65:1全相VSWR)。它们属于经济型解决方案,适于面向PECVD的RF发生器、等离子溅射和平板与太阳能电池制造设备等应用。
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