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50V RF DMOS器件

意法半导体的50 V RF DMOS晶体管采用了最佳工艺布局,提升了HF和VHF频带下的RF性能,是ISM、HF收发器和FM广播应用的理想之选。它们具有出色的RF增益(>20 dB)与功率饱和度(高达450 W),以及高击穿电压(高达200 V以上)和更高的耐用性。

主要特性:

  • 输出功率:高达350 W
  • 击穿电压BVDSS:高达200 V以上
  • 极高的强度:无穷大:1 VSWR(全相)
  • 同类中最高的可靠性:1百万次电力循环
  • 低热阻
  • 与陶瓷封装相比,意法半导体的STAC封装使结-壳之间热阻降低了25%,同时提升了RF性能。

防潮50 V RF DMOS晶体管

防潮50 V RF DMOS晶体管
由于采用凝胶填充封装,所以150 W SD2931-12MR和300 W SD4933MR为在潮湿环境下运行的工业设备提供了经济型解决方案。凝胶能够保护晶片免遭电子迁移的伤害,例如银枝晶迁移,电子迁移是由高温、偏置电压和湿度的共同作用下发生的,它是标准陶瓷封装常见的现象 SD4933MR还具有业内最高的击穿电压(> 200 V),在各个阶段均具有65:1负载失配能力,满足了最强大的设计需求。
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