意法半导体’的50 V RF DMOS晶体管采用了最佳工艺布局，提升了HF和VHF频带下的RF性能，是ISM、HF收发器和FM广播应用的理想之选。 它们具有出色的RF增益（>20 dB）与功率饱和度（高达450 W），以及高击穿电压（高达200 V以上）和更高的耐用性。
主要特性：
- 输出功率：高达350 W
- 击穿电压BVDSS：高达200 V以上
- 极高的耐用性：无穷大：1 VSWR（全相）
- 同类中最高的可靠性：1百万次动力循环
- 低热阻
- 与陶瓷封装相比，意法半导体气腔（STAC®）封装选项改善了结-壳热阻（-25%），提升了RF性能。
