意法半导体’的28/32V LDMOS晶体管面向工作频率高达2 GHz的应用，在上一代LDMOS的基础上大幅改进了RF性能（+4 dB的增益、+15%的效率）、耐用性（>20:1 VSWR）和可靠性。 它们提供陶瓷封装和低成本PowerSO-10RF塑料封装选项，是中继器、基站、政府宽带通信和L波段卫星上行链路设备等应用的理想之选。

主要特性：

• 频率：HF ~ 2 GHz
• 击穿电压BVDSS：>80 V
• 电源电压：高达32 V
• 输出功率：高达150 W
• 增益：20 dB
• 效率：65%
• 耐用性：>20:1 VSWR全相（CW）
• 以晶片形式提供