ST Life.augmented

STH260N6F6-2

N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package
  • active 活性

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

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数据表

Key Features

  • Low gate charge
  • Very low on-resistance
  • High avalanche ruggedness

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Technical Documentation

Product Specifications

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DS7207: N-channel 60 V, 1.7 mΩ typ., 180 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in H²PAK-2 package
4.0 725 KB

HW Model & CAD Libraries

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描述 版本 大小
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STH260N6F6-2 PSpice model
10 KB

Presentations & Training Material

Presentations

描述 版本 大小
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60 V to 80 V STripFETVI DeepGATE
1.0.0 748 KB
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STripFET VI DeepGATE
1.0.0 892 KB

样品 & 购买

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产品型号 Marketing StatusPackagePacking TypeAutomotive GradeOrder From STUnit Price (US$)*
@
Distributor AvailabilityRoHS Compliance GradeDownload
Material Declaration**
STH260N6F6-2ActiveH2PAK-2Tape And Reel_Free SamplesDistributor reported inventory date: 2014-09-29
Distributor NameRegionStockMin. order
Newark Element14Order NowAMERICA9800
Farnell Element14Order NowEUROPE7421
DIGIKEYOrder NowWORLDWIDE8621
Ecopack1PDF
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