ST Life.augmented

STP260N6F6

N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
  • active 活性

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

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数据表

Key Features

  • Low gate charge
  • Very low on-resistance
  • High avalanche ruggedness

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Technical Documentation

Product Specifications

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DS6824: N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220 and I²PAK packages
5.0 750 KB

HW Model & CAD Libraries

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描述 版本 大小
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STP260N6F6 PSpice model
1.0 1 KB

Presentations & Training Material

Presentations

描述 版本 大小
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60 V to 80 V STripFETVI DeepGATE
1.0.0 748 KB
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STripFET VI DeepGATE
1.0.0 892 KB

样品 & 购买

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产品型号 Marketing StatusPackagePacking TypeAutomotive GradeOrder From STUnit Price (US$)*
@
Distributor AvailabilityRoHS Compliance GradeDownload
Material Declaration**
STP260N6F6ActiveTO-220ABTube_-Distributor reported inventory date: 2014-12-21
Distributor NameRegionStockMin. order
P&SOrder NowASIA/PACIFIC1981
ARROWOrder NowEUROPE50
Ecopack2PDF
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(*) 建议零售价格仅用于预算,以美元为单位,每。的报价,以当地货币计算的价格,请联系您当地的 ST 销售办事处 或我们的 分销商
(**) 材料声明表格上提供st.com可以是一般的文件,根据最常用的包,包内的家庭。出于这个原因,他们可能不是100%准确,对于一个特定的设备。请联系我们 销售支持 在特定设备上的信息。
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