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Press Release

意法半导体(ST)采用新节能封装扩大高能效功率产品阵容

最新的MDmesh™ V超结MOSFET采用创新的4针封装 ,增加专用控制输入,提高开关能效
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横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出首款采用全新封装技术的MDmesh™ V超结MOSFET晶体管,新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。

新的TO247-4 4针封装提供一个开关控制专用直接源极针脚,而传统封装是开关和电源共用一个针脚。增加的针脚能够提高开关能效,降低开关损耗,支持更高的开关频率,进一步降低电源尺寸。


该封装是意法半导体与英飞凌的合作开发成果,英飞凌也推出其新款超结器件,为客户选购超结MOSFET提供了另一个选择。意法半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示:“TO247-4具有很高的成本效益,用于替代标准TO-247 器件时,只需对印刷电路板布局略加修改,从而简化了该器件在电源系统的应用。采用这一封装的全新意法半导体MDmesh器件可提高工作能效,使终端设备更加节能环保。”


TO247-4封装集成了实现至源极Kelvin连接的内部结构, 这个连接旁通了主电源连接的共源电感,可消除高达60%的开关损耗,设计人员可使用更高的开关频率和更小的滤波器件。新封装结合意法半导体的MDmesh超结技术,实现最高的单位硅面积导电效率及最好的总体节能效果。


此次推出的产品是STW57N65M5-4。作为首款TO247-4封装的MDmesh产品,STW57N65M5-4可提高主动功率因数校正(PFC)电路和全桥或半桥功率转换器的能效,适用于各种消费电子和工业电子产品。


TO247-4封装的STW57N65M5-4的更多特性:
• 高抗噪性,可降低电磁干扰(EMI)敏感度
• 增强的额定电压,可提高安全系数
• 高耐dv/dt能力,可提高可靠性
• 100%雪崩测试,可用于耐用性设计

STW57N65M5-4现已量产,订量超过1,000时的价格为10.00美元起。
详情请访问www.st.com/pmos

关于意法半导体
意法半导体(STMicroelectronics;ST)是全球领先的半导体解决方案供应商,为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术,到数字信任和数据安全,从医疗健身设备,到智能消费电子,从家电、汽车,到办公设备,从工作到娱乐,意法半导体的微电子器件无所不在,在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)的理念。
意法半导体2012年净收入84.9亿美元。详情请访问公司网站www.st.com
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