ST Life.augmented

Press Release

STMicroelectronics et Memoir Systems associent leurs technologies de rupture dans les domaines de la fabrication de semiconducteurs et des mémoires

Ce partenariat aboutit à la création de mémoires embarquées plus rapides, plus simples et qui dissipent moins de chaleur
Genève /

STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, annonce ce jour que sa collaboration étroite avec la société Memoir Systems a permis d’associer la technologie de mémoire algorithmique (Algorithmic Memory Technology) à des mémoires embarquées dans des circuits intégrés pour applications spécifiques (ASIC) et des systèmes sur puce (SoC) fabriqués dans la technologie totalement « déplétée » sur silicium sur isolant FD-SOI (Fully Depleted-Silicon on Insulator) de ST.

 

Intégrées dans des produits fabriqués dans la technologie FD-SOI de ST, les mémoires algorithmiques de Memoir Systems assurent des performances sans compromis grâce aux avantages reconnues de cette filière sur le plan de la consommation d’énergie et des performances1. De plus, la combinaison de courants de fuite ultra-faibles et du taux d’erreur logicielle SER2 extrêmement bas affichés par la technologie FD-SOI crée une solution extrêmement séduisante pour les applications critiques, telles que la connectivité, les transports, le médical ou les programmes aéronautiques.


« Utilisée seule, la technologie FD-SOI permet de réaliser des ASIC et des systèmes sur puce qui fonctionnement plus rapidement et avec une dissipation thermique inférieure à d’autres technologies de fabrication », a déclaré Philippe Magarshack, executive vice-president, Design Enablement and Services, STMicroelectronics. « En ajoutant les exceptionnels blocs de propriété intellectuelle tierce partie de Memoir Systems, nous rendons la filière FD-SOI encore plus attrayante et démontrons à quel point le portage peut s’effectuer simplement. »


« Compte tenu de notre engagement en faveur des technologies mémoire de pointe, de la réduction des délais de conception et des performances extrêmement élevées, il était essentiel que notre technologie de mémoire algorithmique soit disponible sur les plates-formes FD-SOI, pour nous comme pour nos clients », a déclaré Sundar Iyer, co-fondateur et CEO de Memoir Systems. « La facilité du portage, ainsi que les performances que nous avons enregistrées, confirment que la technologie FD-SOI est plus rapide, plus simple et qu’elle dégage moins de chaleur. »


Fabricant majeur de circuits ASIC, ST est le premier fournisseur de semiconducteurs à annoncer la disponibilité de la technologie totalement « déplétée » sur silicium sur isolant FD-SOI qui étend et simplifie les approches de fabrication actuelles basées sur la technologie planaire en silicium massif. Un transistor FD-SOI fonctionne à des fréquences plus élevées que des transistors équivalents fabriqués en CMOS massif grâce aux meilleures caractéristiques électrostatiques des transistors et à des canaux plus courts.


À propos de STMicroelectronics
ST est un leader mondial sur le marché des semiconducteurs, dont les clients couvrent toute la gamme des technologies Sense & Power, les produits pour l’automobile et les solutions de traitement embarquées. De la gestion de la consommation aux économies d’énergie, de la confidentialité à la sécurité des données, de la santé et du bien-être aux appareils grand public intelligents, ST est présent partout où la technologie microélectronique apporte une contribution positive et novatrice à la vie quotidienne. ST est au cœur des applications professionnelles et de divertissements à la maison, au bureau et en voiture. Par l’utilisation croissante de la technologie qui permet de mieux profiter de la vie, ST est synonyme de « life.augmented ».


En 2012, ST a réalisé un chiffre d’affaires net de 8,49 milliards de dollars. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site :  www.st.com.

1 Les produits fabriqués dans la technologie FD-SOI affichent une rapidité jusqu’à 30 % plus élevée et une efficacité énergétique jusqu’à 30 % supérieure à des produits identiques réalisés en technologie massive.

2 Le taux d’erreurs logiques SER (Soft Error Rate) est 50 à 100 fois inférieur à celui de la technologie massiveéquivalente, mesuré au-dessous de 10 FIT/Mbit (FIT = nombre de défaillances par 109 heures).
 

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