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BiCMOS

BiCMOS

ブロードバンド・データが急増し、関連する通信規格が進化する中、高性能デバイスが求められており、回路は複雑化する一方です。新たな高速データレート・サービスによる光システムやワイヤレス・システムの動作周波数の高まりと同時に、ICの高集積化、低消費電力化、およびコスト最適化が求められています。

また、車載用レーダー(24/77GHz)、衛星通信、LAN RFトランシーバ(60GHz)、Point-to-Point無線(V帯/E帯)、防衛、セキュリティ、計装などの新たなマイクロ波アプリケーションも、RF性能や動作条件に関する要求が極めて厳しくなりつつあります。

こうした要求に対応するために、STはこれらのニーズに最適なソリューションを提供するBiCMOS技術に積極的に投資しています。

Cellular and Optical

BiCMOS2種類のプロセス技術

BiCMOSは、高周波アナログに重要な高速性と高ゲインを備えたバイポーラ・トランジスタと、シンプルで低消費電力のロジック・ゲートの構築に最適なCMOS技術という、2種類のプロセス技術の長所を1チップで実現します。

STのBiCMOS SiGe(シリコン・ゲルマニウム)技術は、RF部、アナログ部、およびデジタル部を1チップ化することにより、消費電力を最適化すると同時に、外付け部品点数を大幅に低減します。

STのBiCMOSプロセス技術は、集積度において大きな優位性をもたらすだけでなく、従来はガリウム砒素(GaAS)などの高コストの技術でしか得られなかったレベルの性能をすでに達成しています。

BiCMOS HBT(Heterojunction Bipolar Transistor :ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ)は、特定の技術ノードにおいて、カットオフ周波数をバルクCMOSよりもはるかに高くすることができます。バルクCMOS設計で同等の周波数を実現するには、より微細なプロセス・ノードを使用する必要があるため、設計面で妥協を強いられる他、多くの場合、全体的な性能低下やコスト上昇につながります。

このように、代替技術と比較してコスト効率に優れたSTのBiCMOSを使用することで、新たなビジネス機会の創出が可能になります。

BiCMOSプロセス技術をリード

STは、設計・アーキテクチャ・プロセス統合に関する優れたノウハウを活用し、高性能RF ICの設計を実現する最先端のSiGe BiCMOS技術を提供しています。

現在、STのBiCMOS技術は、世界中のほぼ全てのワイヤレス・ベース・ステーションおよび光トランシーバに採用されている他、ワイヤレス・ターミナル、車載用レーダー、および計装装置にも利用されています。

BiCMOS portfoloio

 

BiCMOS Comparison

 

最先端技術を提供

STのBiCMOSプロセス・ファミリは、ミックスド・シグナル・アプローチを考慮して設計されており、最適な製品設計に向けたあらゆる技術を提供します。

  • 様々なMOSおよびバイポーラ・トランジスタ
  • V-PNP、DMOS、デュアルゲート酸化物MOS
  • 最高の速度対ノイズ比を実現するSiGe-C HBT
  • 高Qインダクタンスおよび低損失伝送回線向けのミリ波専用メタル層(厚膜銅)

高抵抗基板やディープ・トレンチ絶縁技術を組み合わせたSTのBiCMOSプロセスは、クラス最高の絶縁性を実現し、RFブロックの効果的な統合を可能にします。
 

最適な設計・製造能力

STのBiCMOS設計プラットフォームは、極めて正確なシミュレーション・モデルを含め、完全かつ効果的な設計フローと最先端CADツールによってサポートされています。その効果は、多くの顧客の成功例で実証されています。

STは、製造委託サービスから幅広いASIC設計・開発・サポートサービスまで、様々なビジネスモデルによるBiCMOS技術の提供に対応できます。この柔軟性により、顧客のあらゆるニーズに対応する最適なソリューションを提供することが可能です。

さらに、BiCMOSで開発された各種アナログ、RF、およびデジタルIPに関する豊富な経験により、顧客の製品設計の簡略化と製品開発期間の短縮に貢献します。

 

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