ST Life.augmented

効率とメリット

卓越した電力効率

静電特性が改善されているFD-SOIには、低電圧時の動作高速化とエネルギー効率の向上という主に2点のメリットがあります。超薄型埋込み酸化膜(BOX)により、トランジスタ・チャネルを制御するボディバイアの効率がさらに向上し、待機時および動作時消費電力が最適化されます。

FD-SOIは卓越した電力効率を特徴としているため、ワット当たり演算能力の向上、放熱量の低下、および携帯型機器用バッテリの長寿命化を実現します。


メモリに対するメリット
FD-SOIにSTの特許である「シングルウェル」ビットセル・アーキテクチャを組み合わせると、SRAMのメモリ動作が大幅に改善されます。これにより、従来のバルクSRAMと同等の性能を維持しながら、低電圧かつ極めて低いリーク電流での動作が可能になります。


 

さらに、FD-SOIメモリは、クラス最高のソフトエラー耐性を示し、省スペース化とシステムの信頼性向上に貢献します。

アナログ・高速設計におけるメリット
FD-SOIは、アナログ設計においても多くのメリットがあります。チャネルを完全に絶縁分離しているため、ゲート・キャパシタンスとリーク電流が低下し、全体的なラッチアップ耐性を実現します。さらに、完全空乏型トランジスタにはチャネル・ドーピングとポケット注入がないため、バルク技術より低いノイズ仕様と高い利得(最大+15dB)を得ることができます。

これにより、低電力かつ高性能であり、小型でシンプルなアナログ回路が実現できます。

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